半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
工程时代背景
某新项目处在长角形地某发达国家半导体行业高新产业园里,商家首要生育85英尺和125英尺晶圆,日产尼桑量需求2万片。如今生产本事加快,固有的生活污水处里软件已就没有办法需求干净让,亟需升到改装。新项目总投資约1一千万元,开发处里本事为300吨/日,于2022年完成投入运营。
废水处理工艺成份及因素
该制造业企业晶圆片区加工过程生成的废水处理首要蕴含下例有效成分:
水刀切割过程中 中选择的研磨抛光液存留物,核心组成成分为二防氧化硅颗粒状、从表面活性酶剂和无机生成剂
晶圆的表面刷洗带来的含氟废液,氟阴阳离子氨水浓度在80-120mg/L
一定量高价属正离子如铜、镍等,出于切割工作APP变形
有机的稀释剂无残留,比如异丙醇、异丙醇等
pH值跌涨较少,大部分在4-10两者之间
清理加工具体步骤
而对电镀废水基本特征,规划选用"物理化学预治疗+生物化学治疗+深浅治疗"的組合制作工艺:
上下调整池
:营养均衡饮用水质发电量,放置pH一直在线监控数据和一键投加药剂系统化
沥青混凝土水解
:污泥脱水PAC和PAM,避开自动隐藏物和电解质溶液类物质
气浮单位
:应用溶气气浮工序继续一个脚印祛除狗狗细小病毒颗粒剂和那部分有机质物
血生化处理
:用MBR膜生物技术化学膜生物反应器,污泥处理质量浓度恢复在8000-10000mg/L
广度治理
:活性酶炭过滤+反覆盖加工,为了确保冒水及格
活性污泥整理
:板框压滤机厂家脱水器,厌氧颗粒污泥含水量率高于60%有以下
解决效率
系统性安稳进行后,溢水水体根本提升《电子器材化学工业水污染源物的直接减排标准的》(GB39731-2020)格外的减排卫生防护距离的标准:
COD<30mg/L
氟铝离子<5mg/L
飘浮物<10mg/L
高价属基本完成指标均降到规定值
好项目今年可减轻空气排放口物排放口量约COD 32吨、氟化物8.5吨,工业废水处理水率达标75%上面的,为企业主大大节省煤气费开支约140万元/年。